MICROCHIP APT75GP120B2G
Артикул: C17602893
Part Number: APT75GP120B2G
Производитель: MICROCHIP
от 64.033000 ₽
В наличии: 3 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 66.302600 ₽ |
| 30 шт. | 64.033000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | PT (Punch-Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.042kW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3.3V;3V |
| Заряд затвора (Qg) | 320nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.9V@15V,75A |
| Входная ёмкость (Cies) | 7.035nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 460pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 80pF |
| Время задержки включения Td(on) | 20ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 163ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.62mJ;4.1mJ;5.85mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.5mJ;4.82mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
1.042kW 100A 1.2kV PT (пробойник-Through) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS