Infineon IKZ50N65NH5XKSA
Артикул: C17599453
Part Number: IKZ50N65NH5XKSA
Производитель: Infineon
от 1.004300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.646200 ₽ |
| 200 шт. | 1.055800 ₽ |
| 500 шт. | 1.020900 ₽ |
| 1000 шт. | 1.004300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 273W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 85A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V |
| Заряд затвора (Qg) | 109nC@520V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.1nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 90pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 11pF |
| Время задержки включения Td(on) | 22ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 252ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 350uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 200uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 46ns |
Описание
273W 85A 650V TO-247-4-1 одиночные IGBT-транзисторы