Infineon FP75R12N2T7PB11BPSA1
Артикул: C17588086
Part Number: FP75R12N2T7PB11BPSA1
Производитель: Infineon
от 103.581200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 273.239900 ₽ |
| 200 шт. | 109.025500 ₽ |
| 500 шт. | 105.382800 ₽ |
| 1000 шт. | 103.581200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 75A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 1.25uC@600V |
| Входная ёмкость (Cies) | 15.1nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 53pF |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 146ns;162ns;169ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 320ns;390ns;440ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 8.05mJ;10.6mJ;12.3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 4.95mJ;7.76mJ;9.51mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 75A 1.2kV IGBT модуль модули IGBT RoHS