TI HGTP7N60B3D

TI HGTP7N60B3D

Артикул: C17568226 Part Number: HGTP7N60B3D Производитель: TI
от 0.972100 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.561600 ₽
200 шт. 1.023100 ₽
500 шт. 0.989100 ₽
1000 шт. 0.972100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 60W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 600V
Ток коллектора (Ic) 14A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.8V
Заряд затвора (Qg) 23nC
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5.1V
Входная ёмкость (Cies) -
Выходная ёмкость (Coes) -
Проходная ёмкость (Cres) -
Время задержки включения Td(on) 26ns
Время задержки выключения Td(off) 130ns
Энергия потерь при включении (Eon) 160uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 120uJ
Время обратного восстановления (trr) 37ns

Описание

60W 14A 600V TO-220AB одиночные IGBT-транзисторы