Транзистор NPN+PNP 65V 600mA SOT-363

Транзистор NPN+PNP 65V 600mA SOT-363

Артикул: C17564838 Part Number: HBDM60V600X-7 Производитель: DIODES
от 0.880600 ₽ В наличии: 40 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.916300 ₽
10 шт. 0.900100 ₽
30 шт. 0.890300 ₽
100 шт. 0.880600 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP;NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 60V;65V
Ток коллектора (Ic) 600mA;500mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 200mW
Коэффициент усиления по постоянному току 100;250
Рабочая температура -55℃~+150℃
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -
Ток отсечки коллектора 10nA;100nA
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 300mV;200mV
Напряжение эмиттер–база VEBO 5.5V;6V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 0.95V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 0.75V

Описание

Биполярные транзисторы (BJT) транзистор NPN+PNP 65V 600mA 200mW поверхностный монтаж SOT-363