ROHM DTD113ECHZGT116
Артикул: C17561102
Part Number: DTD113ECHZGT116
Производитель: ROHM
от 0.016600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.043600 ₽ |
| 200 шт. | 0.017400 ₽ |
| 500 шт. | 0.016900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.016600 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 33 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@20mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@50mA,2.5mA |
| Входной резистор | 1.3kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
33 500mA 200mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) TO-236-3(SOT-23-3) одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS