Infineon F3L150R07W2H3B11BPSA1
Артикул: C17552262
Part Number: F3L150R07W2H3B11BPSA1
Производитель: Infineon
от 47.049000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 124.113000 ₽ |
| 195 шт. | 49.521500 ₽ |
| 495 шт. | 47.867000 ₽ |
| 1005 шт. | 47.049000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 85A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.68V;1.86V;1.89V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.75V |
| Заряд затвора (Qg) | 1.6uC@400V |
| Входная ёмкость (Cies) | 9.4nF@650V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 280pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 57ns;59ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 329ns;359ns;362ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 5.77mJ;6.97mJ;7.21mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.53mJ;3.46mJ;3.79mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 85A 650V FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS