Infineon FF650R17IE4DB2
Артикул: C17549815
Part Number: FF650R17IE4DB2
Производитель: Infineon
от 509.089800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 570.531700 ₽ |
| 201 шт. | 535.844300 ₽ |
| 501 шт. | 517.938000 ₽ |
| 999 шт. | 509.089800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 4.15kW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.7kV |
| Ток коллектора (Ic) | 650A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.45V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 7uC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 54nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 1.7nF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 580ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 1us |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 180mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 140mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
4.15kW 650A 1.7kV модули IGBT RoHS