MICROCHIP MX2N5116
Артикул: C17548925
Part Number: MX2N5116
Производитель: MICROCHIP
от 64.765900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 170.847400 ₽ |
| 200 шт. | 68.169400 ₽ |
| 500 шт. | 65.891300 ₽ |
| 1000 шт. | 64.765900 ₽ |
Характеристики
| Количество | - |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 4V |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 30V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 500mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 175Ω |
| Рабочая температура | -65℃~+200℃ |
| Ток стока (Idss) | 25mA |
| Входная ёмкость Ciss | 27pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | 7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
Описание
500mW 25mA 175Ω 30V TO-18 полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET)