AOS AOTF10B65M2
Артикул: C17541271
Part Number: AOTF10B65M2
Производитель: AOS
от 0.471500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.241300 ₽ |
| 200 шт. | 0.495300 ₽ |
| 500 шт. | 0.479400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.471500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 30W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 20A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.6V |
| Заряд затвора (Qg) | 24nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V |
| Входная ёмкость (Cies) | 647pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 82pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 25pF |
| Время задержки включения Td(on) | 12ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 91ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 180uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 130uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 262ns |
Описание
30W 20A 650V TO-220 одиночные IGBT-транзисторы RoHS