DIODES DMC67D8UFDB-13
Артикул: C17538486
Part Number: DMC67D8UFDB-13
Производитель: DIODES
от 0.094300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.248700 ₽ |
| 200 шт. | 0.099300 ₽ |
| 500 шт. | 0.096000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.094300 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel + P-Channel |
| Количество | 1 N-Channel + 1 P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V;20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 390mA;2.9A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.7Ω@10V;51mΩ@4.5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 580mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V;1.25V |
| Заряд затвора (Qg) | 0.4pC;7.3nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 41pF;443pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.6pF;101pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 4.4pF;128pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V;±12V |
Описание
580mW 1 N-канальный + 1 P-канальный сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS