TOSHIBA RN1107MFV,L3F(CT
Артикул: C17532991
Part Number: RN1107MFV,L3F(CT
Производитель: TOSHIBA
от 0.034500 ₽
В наличии: 290 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.036300 ₽ |
| 100 шт. | 0.035500 ₽ |
| 300 шт. | 0.035000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.034500 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.8V@5mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1V@0.1mA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.213 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
50V 80 100mA 150mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT-723 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS