Infineon F4200R17N3E4
Артикул: C17532314
Part Number: F4200R17N3E4
Производитель: Infineon
от 108.772300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 286.934200 ₽ |
| 200 шт. | 114.489300 ₽ |
| 500 шт. | 110.663700 ₽ |
| 1000 шт. | 108.772300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.7kV |
| Ток коллектора (Ic) | 200A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.3V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 2.4uC |
| Входная ёмкость (Cies) | 18nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 580pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 210ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 430ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 41.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 34mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 200A 1.7kV FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS