VISHAY SI4900DY-T1-GE3
Артикул: C17532303
Part Number: SI4900DY-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.452900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.193600 ₽ |
| 200 шт. | 0.477200 ₽ |
| 500 шт. | 0.460500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.452900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 N-Channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5.3A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.1W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | - |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 72mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 13nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 665pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 40pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 75pF |
Описание
60V 5.3A 3.1W 72mΩ@4.5V 2 N-канальный N-канальный SOIC-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS