MICROCHIP APTGT75DH120T3G
Артикул: C17531778
Part Number: APTGT75DH120T3G
Производитель: MICROCHIP
от 87.192600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 230.007100 ₽ |
| 200 шт. | 91.774800 ₽ |
| 500 шт. | 88.708100 ₽ |
| 1000 шт. | 87.192600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 357W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 110A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.1V@15V,75A |
| Заряд затвора (Qg) | 700nC@600V |
| Входная ёмкость (Cies) | 5.34nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 280pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 240pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 260ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 420ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 7mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 8.1mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 170ns |
Описание
357W 110A 1.2kV FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS