VISHAY SIZ902DT-T1-GE3
Артикул: C17530385
Part Number: SIZ902DT-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.559000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.470800 ₽ |
| 200 шт. | 0.587700 ₽ |
| 500 шт. | 0.568100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.559000 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Непрерывный ток стока (Id) | 16A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 14.5mΩ@4.5V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 66W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 65nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.6nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 215pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 485pF |
Описание
30V 16A 66W 14.5mΩ@4.5V 2 N-канальный сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS