VISHAY SIZF916DT-T1-GE3
Артикул: C17513202
Part Number: SIZF916DT-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.593800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.566200 ₽ |
| 200 шт. | 0.625600 ₽ |
| 500 шт. | 0.604400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.593800 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.8mΩ@4.5V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 60W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.4V |
| Заряд затвора (Qg) | 29.3nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.32nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 260pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.84nF |
Описание
30V 60A 60W 6.8mΩ@4.5V 2.4V 2 N-канальный сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS