BOURNS BIDW50N65T
Артикул: C17512645
Part Number: BIDW50N65T
Производитель: BOURNS
от 1.662400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.385000 ₽ |
| 210 шт. | 1.749300 ₽ |
| 510 шт. | 1.690800 ₽ |
| 990 шт. | 1.662400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 416W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V |
| Заряд затвора (Qg) | 123nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.723nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 230pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 55pF |
| Время задержки включения Td(on) | 37ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 125ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.1mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 37.5ns |
Описание
416W 100A 650V FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS