Infineon DF160R12W2H3FB11
Артикул: C17497080
Part Number: DF160R12W2H3FB11
Производитель: Infineon
от 63.574700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 167.704800 ₽ |
| 195 шт. | 66.915300 ₽ |
| 495 шт. | 64.680000 ₽ |
| 1005 шт. | 63.574700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 160A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 320nC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.35nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 130pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 25ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 250ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 260uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 800uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
160A 1.2kV модули IGBT RoHS