MICROCHIP APT25GN120B2DQ2G
Артикул: C17488563
Part Number: APT25GN120B2DQ2G
Производитель: MICROCHIP
от 10.030200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 26.455300 ₽ |
| 200 шт. | 10.555800 ₽ |
| 500 шт. | 10.204400 ₽ |
| 1000 шт. | 10.030200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through);FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 272W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 67A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V |
| Заряд затвора (Qg) | 155nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 105pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 85pF |
| Время задержки включения Td(on) | 22ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 280ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.49mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.15mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 350ns |
Описание
272W 67A 1.2kV TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS