VISHAY SIZ200DT-T1-GE3
Артикул: C17477023
Part Number: SIZ200DT-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.374200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.984600 ₽ |
| 200 шт. | 0.393900 ₽ |
| 500 шт. | 0.380200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.374200 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 61A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.8mΩ@10V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 33W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.4V |
| Заряд затвора (Qg) | 30nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.6nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 28pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 620pF |
Описание
30V 61A 5.8mΩ@10V 33W 2.4V 2 N-канальный PowerPAIR3x3S сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS