VISHAY SIZF640DT-T1-GE3
Артикул: C17468866
Part Number: SIZF640DT-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 1.264800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.333800 ₽ |
| 200 шт. | 1.329900 ₽ |
| 500 шт. | 1.286000 ₽ |
| 1000 шт. | 1.264800 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 159A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.4mΩ@4.5V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 62.5W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.4V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.75nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 55pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 960pF |
Описание
40V 159A 2.4mΩ@4.5V 62.5W 2.4V 2 N-канальный сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS