Infineon FS3L30R07W2H3FB11
Артикул: C17456528
Part Number: FS3L30R07W2H3FB11
Производитель: Infineon
от 38.617300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 101.867200 ₽ |
| 195 шт. | 40.645900 ₽ |
| 495 шт. | 39.288300 ₽ |
| 1005 шт. | 38.617300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 30A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.5V;1.7V;1.8V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 300nC@30V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.65nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 51pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 42ns;44ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 260ns;280ns;285ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 880uJ;1.1mJ;1.15mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 670uJ;840uJ;910uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 30A 650V модули IGBT RoHS