IGBT-модуль с траншейный/С ограничением электрического поля IGBT3 и С управлением эмиттером 3 диод и NTC
Артикул: C17444251
Part Number: F475R06W1E3
Производитель: Infineon
от 42.974500 ₽
В наличии: 6 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 44.634600 ₽ |
| 24 шт. | 42.974500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 275W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 75A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.45V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 800nC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.6nF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 25ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 200ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 400uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.75mJ |
Описание
275W 75A 600V FS (ограничение поля) монтаж в отверстия,62.8x33.8mm модули IGBT RoHS