Infineon FP200R12N3T7B11BPSA1
Артикул: C17436569
Part Number: FP200R12N3T7B11BPSA1
Производитель: Infineon
от 155.174000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 409.337100 ₽ |
| 200 шт. | 163.329300 ₽ |
| 500 шт. | 157.870900 ₽ |
| 1000 шт. | 155.174000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 200A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.55V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 3.34uC@600V |
| Входная ёмкость (Cies) | 40.3nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 140pF |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 203ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 351ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 25.1mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 12.9mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 200A 1.2kV модули IGBT RoHS