Infineon IKQ50N120CT2XKSA1
Артикул: C17436111
Part Number: IKQ50N120CT2XKSA1
Производитель: Infineon
от 12.274100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 15.445300 ₽ |
| 10 шт. | 13.949100 ₽ |
| 30 шт. | 13.037700 ₽ |
| 90 шт. | 12.274100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 652W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.75V |
| Заряд затвора (Qg) | 235nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.15V@15V,50A |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.27nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 355pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 199pF |
| Время задержки включения Td(on) | 34ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 312ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3.8mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.3mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 410ns |
Описание
652W 100A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS