MICROCHIP APT75GN120B2G
Артикул: C17434029
Part Number: APT75GN120B2G
Производитель: MICROCHIP
от 16.407000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 43.281800 ₽ |
| 200 шт. | 17.270300 ₽ |
| 500 шт. | 16.693200 ₽ |
| 1000 шт. | 16.407000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 833W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 200A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V |
| Заряд затвора (Qg) | 425nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 275pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 210pF |
| Время задержки включения Td(on) | 60ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 620ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 8.045mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 7.64mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
833W 200A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS