Infineon FS200R10W3S7B11BPSA1
Артикул: C17432205
Part Number: FS200R10W3S7B11BPSA1
Производитель: Infineon
от 81.536500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 215.085700 ₽ |
| 200 шт. | 85.820400 ₽ |
| 496 шт. | 82.954000 ₽ |
| 1000 шт. | 81.536500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 950V |
| Ток коллектора (Ic) | 130A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.69V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V |
| Заряд затвора (Qg) | 460nC@600V |
| Входная ёмкость (Cies) | 13nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 40pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 120ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 290ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 10.3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.88mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 130A 950V IGBT модуль модули IGBT RoHS