NTE Electronics 2N3819
Артикул: C17399914
Part Number: 2N3819
Производитель: NTE Electronics
от 1.484400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.915500 ₽ |
| 200 шт. | 1.563200 ₽ |
| 500 шт. | 1.510200 ₽ |
| 1000 шт. | 1.484400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 8V |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 25V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | - |
| Рабочая температура | - |
| Ток стока (Idss) | 20mA |
| Входная ёмкость Ciss | 8pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
Описание
20mA 350mW 1 N-канальный 25V TO-92-3 полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET)