DIODES DMT32M4LFG-13
Артикул: C17397675
Part Number: DMT32M4LFG-13
Производитель: DIODES
от 0.348400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.916400 ₽ |
| 200 шт. | 0.366600 ₽ |
| 500 шт. | 0.354500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.348400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рабочая температура | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.6W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 67nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.366nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 262pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.568nF |
Описание
30V 100A 3V 2.6W 1.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PowerDI3333-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS