VISHAY SI4932DY-T1-GE3
Артикул: C17391960
Part Number: SI4932DY-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.525600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.386000 ₽ |
| 200 шт. | 0.552900 ₽ |
| 500 шт. | 0.534700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.525600 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 17mΩ@4.5V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 14.7nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.75nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 115pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 265pF |
Описание
30V 8A 17mΩ@4.5V 3.2W 2.5V 2 N-канальный SOIC-8 сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS