Infineon DF75R12W1H4FB11
Артикул: C17384550
Part Number: DF75R12W1H4FB11
Производитель: Infineon
от 99.580600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 262.685000 ₽ |
| 192 шт. | 104.813800 ₽ |
| 504 шт. | 101.311900 ₽ |
| 1008 шт. | 99.580600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 25A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.65V |
| Заряд затвора (Qg) | 11uC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 64pF |
| Время задержки включения Td(on) | 38ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 360ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 670uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.9mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
25A 1.2kV одиночные IGBT-транзисторы RoHS