DIODES DDTA114ECAQ-13-F
Артикул: C17378583
Part Number: DDTA114ECAQ-13-F
Производитель: DIODES
от 0.021900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.057700 ₽ |
| 200 шт. | 0.023100 ₽ |
| 500 шт. | 0.022300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.021900 ₽ |
Характеристики
| Тип | - |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@10mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@0.1mA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
50V 30 100mA 200mW 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-23-3 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS