GeneSiC Semiconductor 1N3767R
Артикул: C17368637
Part Number: 1N3767R
Производитель: GeneSiC Semiconductor
от 6.251100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 16.487300 ₽ |
| 200 шт. | 6.579800 ₽ |
| 500 шт. | 6.358600 ₽ |
| 1000 шт. | 6.251100 ₽ |
Характеристики
| Максимальное постоянное обратное напряжение (Vr) | 900V |
| Конфигурация диодов | 1 Independent |
| Выпрямленный ток | 35A |
| Обратный ток утечки (Ir) | 10uA@50V |
| Прямое напряжение (Vf при If) | 1.2V@35A |
| Диапазон рабочих температур перехода | -55℃~+150℃ |
| Неповторяющийся пиковый прямой импульсный ток | 475A |
Описание
900V 1 независимый 1.2V@35A 35A DO-5 одиночные диоды RoHS