DIODES DDA114YH-7
Артикул: C17358191
Part Number: DDA114YH-7
Производитель: DIODES
от 0.034000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.089500 ₽ |
| 200 шт. | 0.035700 ₽ |
| 500 шт. | 0.034500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.034000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Тип | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 68 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.4V@1mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@5mA,0.25mA |
| Входной резистор | - |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 4.7 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
68 150mW 100mA 50V 2 PNP со встроенными резисторами смещения транзисторы SOT-563 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS