Infineon IKFW50N65EH5XKSA1
Артикул: C17350617
Part Number: IKFW50N65EH5XKSA1
Производитель: Infineon
от 10.576300 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.997100 ₽ |
| 10 шт. | 10.816800 ₽ |
| 30 шт. | 10.696600 ₽ |
| 90 шт. | 10.576300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 124W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 59A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V;1.95V |
| Заряд затвора (Qg) | 95nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.1V@15V,40A |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.347nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 57pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 9pF |
| Время задержки включения Td(on) | 20ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 138ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.2mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 400uJ;480uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 52ns |
Описание
124W 59A 650V FS (ограничение поля) HSIP247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS