Infineon FP35R12N2T7B11BPSA2
Артикул: C17348778
Part Number: FP35R12N2T7B11BPSA2
Производитель: Infineon
от 55.522400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 146.461600 ₽ |
| 195 шт. | 58.439500 ₽ |
| 495 шт. | 56.487800 ₽ |
| 1005 шт. | 55.522400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 35A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.6V;1.74V;1.82V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 548nC@600V |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.62nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 23pF |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 51ns;52ns;53ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 250ns;330ns;350ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.9mJ;4mJ;4.66mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.22mJ;3.58mJ;4.4mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
35A 1.2kV IGBT модуль модули IGBT RoHS