DIODES DDTC114ECAQ-7-F
Артикул: C17347785
Part Number: DDTC114ECAQ-7-F
Производитель: DIODES
от 0.040600 ₽
В наличии: 1630 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.073100 ₽ |
| 100 шт. | 0.059100 ₽ |
| 300 шт. | 0.052100 ₽ |
| 3000 шт. | 0.046900 ₽ |
| 6000 шт. | 0.042700 ₽ |
| 9000 шт. | 0.040600 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 35 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.9V@10mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
50V 35 100mA 200mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT-23-3 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS