Infineon DDB6U50N16W1RBPSA1
Артикул: C17344482
Part Number: DDB6U50N16W1RBPSA1
Производитель: Infineon
от 23.086200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 60.897600 ₽ |
| 192 шт. | 24.300000 ₽ |
| 504 шт. | 23.486700 ₽ |
| 1008 шт. | 23.086200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 920nC@600V |
| Входная ёмкость (Cies) | 11.1nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 39pF |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 42ns;45ns;46ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 270ns;350ns;370ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
50A 1.2kV модули IGBT RoHS