onsemi SNXH75M65L3F2STG
Артикул: C17341178
Part Number: SNXH75M65L3F2STG
Производитель: onsemi
от 48.689700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 128.440600 ₽ |
| 200 шт. | 51.249500 ₽ |
| 500 шт. | 49.536600 ₽ |
| 1000 шт. | 48.689700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 236W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 75A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.58V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.4V |
| Заряд затвора (Qg) | 123nC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 75ns;78ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 380ns;389ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 930uJ;920uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.26mJ;1.043mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
236W 75A 650V FS (ограничение поля) PIM-32(42.5x56.7) модули IGBT RoHS