Infineon BSM200GB120DN2

Infineon BSM200GB120DN2

Артикул: C17341077 Part Number: BSM200GB120DN2 Производитель: Infineon
от 337.188700 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 889.480400 ₽
200 шт. 354.908800 ₽
500 шт. 343.048900 ₽
1000 шт. 337.188700 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.4kW
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 290A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 3.7V
Заряд затвора (Qg) -
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 6.5V
Входная ёмкость (Cies) 13nF@25V
Выходная ёмкость (Coes) 2nF
Проходная ёмкость (Cres) 1nF
Время задержки включения Td(on) 220ns
Время задержки выключения Td(off) 800ns
Энергия потерь при включении (Eon) -
Энергия потерь при выключении (Eoff) -
Время обратного восстановления (trr) 500ns

Описание

1.4kW 290A 1.2kV одиночные IGBT-транзисторы RoHS