ROHM RGT50NS65DGC9
Артикул: C17335850
Part Number: RGT50NS65DGC9
Производитель: ROHM
от 4.254900 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.425500 ₽ |
| 10 шт. | 4.352400 ₽ |
| 50 шт. | 4.303700 ₽ |
| 100 шт. | 4.254900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 194W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 48A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V |
| Заряд затвора (Qg) | 49nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.1V@15V,25A |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.4nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 56pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 22pF |
| Время задержки включения Td(on) | 27ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 88ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | 58ns |
Описание
194W 48A 650V FS (ограничение поля) TO-262 одиночные IGBT-транзисторы RoHS