MICROCHIP APTGTQ200DA65T3G
Артикул: C17332838
Part Number: APTGTQ200DA65T3G
Производитель: MICROCHIP
от 91.882800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 242.378500 ₽ |
| 200 шт. | 96.711900 ₽ |
| 500 шт. | 93.480100 ₽ |
| 1000 шт. | 91.882800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 483W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 200A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Заряд затвора (Qg) | 480nC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 12nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 200pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 44pF |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 21ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 180ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.2mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 46ns |
Описание
483W 200A 650V модули IGBT RoHS