Infineon FS50R12N2T7B15BPSA2
Артикул: C17322774
Part Number: FS50R12N2T7B15BPSA2
Производитель: Infineon
от 50.107100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 132.177700 ₽ |
| 195 шт. | 52.739600 ₽ |
| 495 шт. | 50.977700 ₽ |
| 1005 шт. | 50.107100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 920nC@600V |
| Входная ёмкость (Cies) | 11.1nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 39pF |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 65ns;67ns;68ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 260ns;340ns;380ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 4.89mJ;6.3mJ;7.34mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.19mJ;5.15mJ;6.33mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 50A 1.2kV IGBT модуль модули IGBT RoHS