MICROCHIP APT45GP120J
Артикул: C17314638
Part Number: APT45GP120J
Производитель: MICROCHIP
от 46.041500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 121.452500 ₽ |
| 200 шт. | 48.460500 ₽ |
| 500 шт. | 46.841300 ₽ |
| 1000 шт. | 46.041500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | PT (Punch-Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 329W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 75A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3.3V;3V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.9V@15V,45A |
| Заряд затвора (Qg) | 185nC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.94nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 300pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 55pF |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 18ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 102ns;151ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 900uJ;1.869mJ;3.078mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 904uJ;2.254mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
329W 75A 1.2kV PT (пробойник-Through) модули IGBT RoHS