Infineon FP75R12N3T7B11BPSA1
Артикул: C17301759
Part Number: FP75R12N3T7B11BPSA1
Производитель: Infineon
от 61.355100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 161.850600 ₽ |
| 200 шт. | 64.580000 ₽ |
| 500 шт. | 62.422600 ₽ |
| 1000 шт. | 61.355100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 75A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.55V;1.69V;1.77V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 1.8V@15V,75A |
| Заряд затвора (Qg) | 1.25uC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 15.1nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 53pF |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 145ns;157ns;167ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 289ns;372ns;424ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 9.09mJ;11.8mJ;13.4mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 5mJ;8.09mJ;9.74mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 75A 1.2kV FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS