Транзистор предварительное смещение NPN 50V SMD-5P
Артикул: C17300648
Part Number: EMG8T2R
Производитель: ROHM
от 0.047000 ₽
В наличии: 2330 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.096300 ₽ |
| 50 шт. | 0.075100 ₽ |
| 150 шт. | 0.064500 ₽ |
| 500 шт. | 0.056500 ₽ |
| 2500 шт. | 0.050100 ₽ |
| 5000 шт. | 0.047000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 6.11kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 12 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 2 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж SMD-5P