AOS AOT10B65M2

AOS AOT10B65M2

Артикул: C17287574 Part Number: AOT10B65M2 Производитель: AOS
от 0.555600 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.465100 ₽
200 шт. 0.585700 ₽
500 шт. 0.565100 ₽
1000 шт. 0.555600 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 150W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 20A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -55℃~+175℃@(Tj)
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.6V
Заряд затвора (Qg) 24nC
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5.1V
Входная ёмкость (Cies) 647pF
Выходная ёмкость (Coes) 82pF
Проходная ёмкость (Cres) 25pF
Время задержки включения Td(on) 12ns
Время задержки выключения Td(off) 91ns
Энергия потерь при включении (Eon) 180uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 130uJ
Время обратного восстановления (trr) 262ns

Описание

150W 20A 650V TO-220 одиночные IGBT-транзисторы RoHS