Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-553
Артикул: C17283020
Part Number: RN1707JE(TE85L,F)
Производитель: TOSHIBA
от 0.081400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.156200 ₽ |
| 10 шт. | 0.124300 ₽ |
| 30 шт. | 0.110600 ₽ |
| 100 шт. | 0.093600 ₽ |
| 500 шт. | 0.086000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.081400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN Pre-Biased (Emitter-Coupled) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.8V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.213 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 2 NPN со встроенными резисторами смещения (эмиттер-связанный) 50V 100mA 100mW поверхностный монтаж SOT-553