Infineon DF200R12KE3
Артикул: C17275549
Part Number: DF200R12KE3
Производитель: Infineon
от 87.371600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 230.480900 ₽ |
| 200 шт. | 91.964600 ₽ |
| 500 шт. | 88.890200 ₽ |
| 1000 шт. | 87.371600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.04kW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 200A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 1.9nC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 14nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 0.5pF |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 250ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 550ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 15mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 35mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
1.04kW 200A 1.2kV IGBT модуль модули IGBT RoHS